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分离式半导体产品 SI4384DY-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI4384DY-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI4384DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC 0 2,500:$0.41860
SI4833ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC 0 2,500:$0.40600
SQ3460EV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP 750 1:$0.79000
25:$0.55440
100:$0.47520
250:$0.41040
500:$0.35280
1,000:$0.27360
SI4384DY-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 10A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 8.5 毫欧 @ 15A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 1.47W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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