分离式半导体产品 SI4090DY-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI4090DY-T1-GE3 • 品牌、价格

元器件型号	厂商	描述	数量	价格
SI4090DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V D-S 8SOIC	0	2,500:$0.60200 5,000:$0.57190 12,500:$0.54825 25,000:$0.53320 62,500:$0.51600
SI4646DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC	0	2,500:$0.42000
SI7682DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC	0	3,000:$0.41860

SI4090DY-T1-GE3 • PDF参数

类别:	分离式半导体产品
FET 型:	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点:	逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):	100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:	19.7A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:	10 毫欧 @ 15A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:	3.3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:	69nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:	2410pF @ 50V
功率 - 最大:	7.8W
安装类型:	表面贴装
封装/外壳:	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装:	8-SO
包装:	带卷 (TR)

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