分离式半导体产品 SIRA06DP-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SIRA06DP-T1-GE3 • 品牌、价格

元器件型号	厂商	描述	数量	价格
SIRA06DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 40A SO8 PWR PK	82	1:$1.29000 25:$1.02000 100:$0.91800 250:$0.79900 500:$0.71400 1,000:$0.56100
SIRA06DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 40A SO8 PWR PK	82	1:$1.29000 25:$1.02000 100:$0.91800 250:$0.79900 500:$0.71400 1,000:$0.56100

SIRA06DP-T1-GE3 • PDF参数

类别:	分离式半导体产品
FET 型:	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点:	逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):	30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:	40A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:	2.5 毫欧 @ 15A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:	2.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:	77nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:	3595pF @ 15V
功率 - 最大:	27.7W
安装类型:	表面贴装
封装/外壳:	PowerPAK? SO-8
供应商设备封装:	PowerPAK? SO-8
包装:	Digi-Reel®

电子产品资料

电脑版（www.mmic.net.cn）
买卖IC网版权所有©2006-2020