分离式半导体产品 IRL630STRRPBF品牌、价格、PDF参数

IRL630STRRPBF • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IRL630STRRPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK 0 800:$1.33875
SQ4470EY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC 0 2,500:$1.33650
SQJ469EP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 80V 32A PPAK 8SOIC 0 3,000:$1.28250
SQJ461EP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 60V TO252 0 3,000:$1.28250
SQR40N10-25-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 100V TO263 0 2,000:$0.86535
SI7138DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 60V PPAK 8SOIC 0 3,000:$1.21230
IRL630STRRPBF • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 400 毫欧 @ 5.4A,5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1100pF @ 25V
功率 - 最大: 3.1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 带卷 (TR)