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分离式半导体产品 SQJ461EP-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SQJ461EP-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SQJ461EP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 60V TO252 0 3,000:$1.28250
SQR40N10-25-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 100V TO263 0 2,000:$0.86535
SI7138DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 60V PPAK 8SOIC 0 3,000:$1.21230
SQJ461EP-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 30A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 16 毫欧 @ 14.4A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 4710pF @ 30V
功率 - 最大: 83W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装: TO-252，（D-Pak）
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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