分离式半导体产品 SIR662DP-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SIR662DP-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SIR662DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 60A 8-SO PWRPAK 0 1:$2.28000
25:$1.75520
100:$1.59250
250:$1.43000
500:$1.23500
1,000:$1.04000
SQD50N03-09-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V 50A TO252 0 2,000:$1.36192
IRL630STRRPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK 0 800:$1.33875
SQ4470EY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC 0 2,500:$1.33650
SQJ469EP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 80V 32A PPAK 8SOIC 0 3,000:$1.28250
SQJ461EP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 60V TO252 0 3,000:$1.28250
SQR40N10-25-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 100V TO263 0 2,000:$0.86535
SI7138DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 60V PPAK 8SOIC 0 3,000:$1.21230
SIR662DP-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 60A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 2.7 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 96nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 4390pF @ 30V
功率 - 最大: 104W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PowerPAK? SO-8
供应商设备封装: PowerPAK? SO-8
包装: 剪切带 (CT)