SUD35N10-26P-T4GE3 • 品牌、价格
| 元器件型号 |
厂商 |
描述 |
数量 |
价格 |
| SUD35N10-26P-T4GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 100V TO252 |
0 |
2,500:$0.94770
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| SI1405DL-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 8V SC-70-6 |
0 |
3,000:$0.24650
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| SI5445BDC-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8 |
0 |
3,000:$0.24360
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| SI7392ADP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 30V PPAK 8SOIC |
0 |
3,000:$0.94500
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| SI7370ADP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 60V 50A PPAK 8SOIC |
0 |
3,000:$0.94500
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| SI5404BDC-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8 |
0 |
3,000:$0.23490
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SUD35N10-26P-T4GE3 • PDF参数
| 类别: |
分离式半导体产品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金属氧化物
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| FET 特点: |
标准
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| 漏极至源极电压(Vdss): |
100V
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| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: |
35A
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| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
26 毫欧 @ 12A，10V
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| Id 时的 Vgs(th)（最大）: |
4.4V @ 250µA
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| 闸电荷(Qg) @ Vgs: |
47nC @ 10V
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| 输入电容 (Ciss) @ Vds: |
2000pF @ 12V
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| 功率 - 最大: |
83W
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| 安装类型: |
表面贴装
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| 封装/外壳: |
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
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| 供应商设备封装: |
TO-252，（D-Pak）
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| 包装: |
带卷 (TR)
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