分离式半导体产品 SUP90N08-7M7P-E3品牌、价格、PDF参数

SUP90N08-7M7P-E3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SUP90N08-7M7P-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 75V TO220AB 0 500:$1.63450
SUP85N10-10P-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB 0 500:$1.67660
SIHB12N60E-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N CH 600V 12A TO263 0 1:$2.08000
25:$1.67520
100:$1.50750
250:$1.34000
500:$1.17250
1,000:$0.97150
2,500:$0.90450
5,000:$0.87100
SUP40N10-30-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB 0 500:$1.62750
SQD40N10-25-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 100V 40A TO252 0 2,000:$1.67580
SQD25N15-52-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 150V 25A TO252 0 2,000:$1.67580
SUP90N08-7M7P-E3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 75V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 90A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 7.7 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 105nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 4250pF @ 30V
功率 - 最大: 3.75W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220AB
包装: 带卷 (TR)