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分离式半导体产品 SIHB12N60E-GE3品牌、价格、PDF参数

SIHB12N60E-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SIHB12N60E-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N CH 600V 12A TO263 0 1:$2.08000
25:$1.67520
100:$1.50750
250:$1.34000
500:$1.17250
1,000:$0.97150
2,500:$0.90450
5,000:$0.87100
SUP40N10-30-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB 0 500:$1.62750
SQD40N10-25-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 100V 40A TO252 0 2,000:$1.67580
SQD25N15-52-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 150V 25A TO252 0 2,000:$1.67580
SIHB12N60E-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 12A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 380 毫欧 @ 6A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 58nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 937pF @ 100V
功率 - 最大: 147W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 散装
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