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分离式半导体产品 SUP40N10-30-GE3品牌、价格、PDF参数

SUP40N10-30-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SUP40N10-30-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB 0 500:$1.62750
SQD40N10-25-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 100V 40A TO252 0 2,000:$1.67580
SQD25N15-52-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 150V 25A TO252 0 2,000:$1.67580
SUP40N10-30-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 38.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 30 毫欧 @ 15A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2400pF @ 25V
功率 - 最大: 3.1W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220AB
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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