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分离式半导体产品 SUP85N10-10-GE3品牌、价格、PDF参数

SUP85N10-10-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SUP85N10-10-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB 0 500:$3.95080
SQM110N04-03-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 40V TO263 0 800:$3.84750
SIHG25N40D-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 400V 25A TO-247AC 20 1:$3.72000
25:$2.99240
100:$2.72650
250:$2.46052
500:$2.20780
1,000:$1.86200
2,500:$1.76890
5,000:$1.69575
SYM110N04-03-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 40V 0 800:$3.61500
SUP85N10-10-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 85A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 10.5 毫欧 @ 30A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 6550pF @ 25V
功率 - 最大: 3.75W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220AB
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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