型号
分离式半导体产品 SQM110N06-06-GE3品牌、价格、PDF参数
SQM110N06-06-GE3
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
SQM110N06-06-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH D-S 60V TO263
0
800:$3.52650
SQM110N06-04L-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH D-S 60V TO263
0
800:$3.52650
SIHG14N50D-E3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC
50
1:$3.30000
25:$2.65520
100:$2.41900
250:$2.18300
500:$1.95880
1,000:$1.65200
2,500:$1.56940
5,000:$1.50450
SQM110N06-06-GE3
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:
标准
漏极至源极电压(Vdss):
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
120A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
6 毫欧 @ 30A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
3.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
145nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
6495pF @ 25V
功率 - 最大:
230W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:
TO-263(D2Pak)
包装:
带卷 (TR)
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