SQM110N06-04L-GE3 品牌、价格
| 元器件型号 |
厂商 |
描述 |
数量 |
价格 |
| SQM110N06-04L-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 60V TO263 |
0 |
800:$3.52650
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| SIHG14N50D-E3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC |
50 |
1:$3.30000
25:$2.65520
100:$2.41900
250:$2.18300
500:$1.95880
1,000:$1.65200
2,500:$1.56940
5,000:$1.50450
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SQM110N06-04L-GE3 PDF参数
| 类别: |
分离式半导体产品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道,金属氧化物
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| FET 特点: |
逻辑电平门
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| 漏极至源极电压(Vdss): |
60V
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| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: |
120A
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| 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: |
3.5 毫欧 @ 30A,10V
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| Id 时的 Vgs(th)(最大): |
2.5V @ 250µA
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| 闸电荷(Qg) @ Vgs: |
276nC @ 10V
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| 输入电容 (Ciss) @ Vds: |
9125pF @ 25V
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| 功率 - 最大: |
375W
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| 安装类型: |
表面贴装
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| 封装/外壳: |
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
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| 供应商设备封装: |
TO-263(D2Pak)
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| 包装: |
带卷 (TR)
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