型号

分离式半导体产品 SIHG24N65E-E3品牌、价格、PDF参数

SIHG24N65E-E3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SIHG24N65E-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC 47 1:$6.16000
25:$4.95000
100:$4.51000
250:$4.07000
500:$3.65200
1,000:$3.08000
2,500:$2.92600
5,000:$2.80500
SIHG24N65E-E3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 24A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 145 毫欧 @ 12A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 122nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2740pF @ 100V
功率 - 最大: 250W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商设备封装: TO-247AC
包装: 管件
电脑版（www.mmic.net.cn）
买卖IC网 版权所有©2006-2020