型号

分离式半导体产品 SIHB30N60E-GE3品牌、价格、PDF参数

SIHB30N60E-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SIHB30N60E-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK 1,000 1:$6.10000
25:$4.90520
100:$4.46900
250:$4.03300
500:$3.61880
1,000:$3.05200
2,500:$2.89940
5,000:$2.77950
SIHB30N60E-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 29A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 125 毫欧 @ 15A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2600pF @ 100V
功率 - 最大: 250W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装: D²PAK
包装: 管件
电脑版（www.mmic.net.cn）
买卖IC网 版权所有©2006-2020