分离式半导体产品 SIHB24N65E-E3品牌、价格、PDF参数

SIHB24N65E-E3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SIHB24N65E-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK 43 1:$6.02000
25:$4.83760
100:$4.40750
250:$3.97752
500:$3.56900
1,000:$3.01000
2,500:$2.85950
5,000:$2.74125
SIHB24N65E-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK 1,000 1:$5.96000
25:$4.79240
100:$4.36650
250:$3.94052
500:$3.53580
1,000:$2.98200
2,500:$2.83290
5,000:$2.71575
SQM85N10-10-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 100V TO263 0 800:$5.83538
SIHP24N65E-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB 41 1:$5.74000
25:$4.61240
100:$4.20250
250:$3.79252
500:$3.40300
1,000:$2.87000
2,500:$2.72650
5,000:$2.61375
SIHB22N60E-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK 13 1:$4.20000
25:$3.37520
100:$3.07500
250:$2.77500
500:$2.49000
1,000:$2.10000
2,500:$1.99500
5,000:$1.91250
SIHP22N60E-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB 23 1:$4.06000
25:$3.26240
100:$2.97250
250:$2.68252
500:$2.40700
1,000:$2.03000
2,500:$1.92850
5,000:$1.84875
SIHB24N65E-E3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 24A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 145 毫欧 @ 12A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 122nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2740pF @ 100V
功率 - 最大: 250W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D²PAK
包装: 管件