型号
分离式半导体产品 IXTY08N100P品牌、价格、PDF参数
IXTY08N100P
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
IXTY08N100P
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252
0
300:$1.70000
IXTY08N100P
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:
标准
漏极至源极电压(Vdss):
1000V(1kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
800mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
20 欧姆 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
4V @ 50µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
11.3nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
240pF @ 25V
功率 - 最大:
42W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:
TO-252,(D-Pak)
包装:
管件
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