分离式半导体产品 IXTA130N10T-TRL品牌、价格、PDF参数

IXTA130N10T-TRL • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IXTA130N10T-TRL IXYS MOSFET N-CH 100V 130A TO263 0 800:$1.51200
IXTY1R4N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-252 0 300:$1.50000
IXTP1R4N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220 0 300:$1.50000
IXTA130N10T-TRL • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 130A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 9.1 毫欧 @ 25A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 104nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 5080pF @ 25V
功率 - 最大: 360W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: TO-263
包装: 带卷 (TR)