型号

分离式半导体产品 IXTY1R4N100P品牌、价格、PDF参数

IXTY1R4N100P • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IXTY1R4N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-252 0 300:$1.50000
IXTP1R4N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220 0 300:$1.50000
IXTY1R4N100P • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 1000V（1kV）
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 1.4A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 11 欧姆 @ 500mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4.5V @ 50µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 17.8nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 450pF @ 25V
功率 - 最大: 63W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装: TO-252，（D-Pak）
包装: 管件
电脑版（www.mmic.net.cn）
买卖IC网 版权所有©2006-2020