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分离式半导体产品 IPI072N10N3 G品牌、价格、PDF参数

IPI072N10N3 G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IPI072N10N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3 0 1:$2.41000
10:$2.18000
25:$1.94640
100:$1.75160
250:$1.55700
500:$1.36238
1,000:$1.12883
2,500:$1.05098
5,000:$1.01205
IPI80N04S4-03 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3-1 0 1,000:$0.72015
IPA65R660CFD Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 6.0A TO220 0 10,000:$1.29642
IPB120N04S4-01 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2 0 1,000:$1.28789
IPI072N10N3 G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 80A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 7.2 毫欧 @ 80A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 3.5V @ 90µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 68nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 4910pF @ 50V
功率 - 最大: 150W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商设备封装: PG-TO262-3
包装: 管件
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