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分离式半导体产品 IPB049N06L3 G品牌、价格、PDF参数

IPB049N06L3 G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IPB049N06L3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 0 1,000:$0.84608
2,000:$0.78773
5,000:$0.75855
10,000:$0.72938
25,000:$0.71479
50,000:$0.70020
IPB054N06N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 2,000 1:$1.99000
10:$1.70900
25:$1.53840
100:$1.39600
250:$1.25356
500:$1.08262
IPB65R190CFD Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263 0 1:$5.58000
10:$5.02000
25:$4.55560
100:$4.09070
250:$3.71880
500:$3.25396
IPB049N06L3 G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 80A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 4.7 毫欧 @ 80A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 2.2V @ 58µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 50nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 8400pF @ 30V
功率 - 最大: 115W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装: PG-TO263-2
包装: 带卷 (TR)
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