分离式半导体产品 IPL60R299CP品牌、价格、PDF参数

IPL60R299CP • 品牌、价格

元器件型号	厂商	描述	数量	价格
IPL60R299CP	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON	0	1:$3.22000 10:$2.89400 25:$2.62600 100:$2.35800 250:$2.14360 500:$1.87566 1,000:$1.60770
IPL60R299CP	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON	0	3,000:$1.42549 6,000:$1.36655 15,000:$1.32903 30,000:$1.28616
IPB180N04S4-H0	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3	0	1,000:$1.42478

IPL60R299CP • PDF参数

类别:	分离式半导体产品
FET 型:	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点:	标准
漏极至源极电压(Vdss):	650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:	11.1A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:	299 毫欧 @ 6.6A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:	3.5V @ 440µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:	22nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:	1100pF @ 100V
功率 - 最大:	96W
安装类型:	表面贴装
封装/外壳:	4-TSFN 裸露焊盘
供应商设备封装:	PG-VSON-4
包装:	剪切带 (CT)

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