型号
分离式半导体产品 IPL60R299CP品牌、价格、PDF参数
IPL60R299CP
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
IPL60R299CP
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON
0
3,000:$1.42549
6,000:$1.36655
15,000:$1.32903
30,000:$1.28616
IPB180N04S4-H0
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
0
1,000:$1.42478
IPL60R299CP
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:
标准
漏极至源极电压(Vdss):
650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
11.1A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
299 毫欧 @ 6.6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
3.5V @ 440µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
22nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
1100pF @ 100V
功率 - 最大:
96W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
4-TSFN 裸露焊盘
供应商设备封装:
PG-VSON-4
包装:
带卷 (TR)
电子产品资料
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