分离式半导体产品 SI3879DV-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI3879DV-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI3879DV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH/SCHOTTKY 20V 6-TSOP 0
SI4322DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC 0
SI4362BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC 0
SI4453DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 12V 8-SOIC 0
SI4840DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC 0
SI5449DC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8 0
SI5463EDC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 3.8A 1206-8 0
SI5475DC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8 0
SI5480DU-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET 0
SI5482DU-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET 0
SI5858DU-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET 0
SI7358ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC 0
SI7368DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 8SOIC 0
SI7407DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 12V PPAK 1212-8 0
SI7445DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 20V PPAK 1212-8 0
SI3879DV-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 二极管(隔离式)
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 70 毫欧 @ 3.5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 14.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 480pF @ 10V
功率 - 最大: 3.3W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
供应商设备封装: 6-TSOP
包装: 带卷 (TR)