分离式半导体产品 SI5475DC-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI5475DC-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI5475DC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8 0
SI5480DU-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET 0
SI5482DU-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET 0
SI5858DU-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET 0
SI7358ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC 0
SI7368DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 8SOIC 0
SI7407DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 12V PPAK 1212-8 0
SI7445DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 20V PPAK 1212-8 0
SI5475DC-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 5.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 31 毫欧 @ 5.5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 450mV @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 1.3W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SMD,扁平引线
供应商设备封装: 1206-8 ChipFET?
包装: 带卷 (TR)