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分离式半导体产品 SI5858DU-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI5858DU-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI5858DU-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET 0
SI7358ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC 0
SI7368DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 8SOIC 0
SI7407DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 12V PPAK 1212-8 0
SI7445DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 20V PPAK 1212-8 0
SI5858DU-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 二极管（隔离式）
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 39 毫欧 @ 4.4A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 16nC @ 8V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 520pF @ 10V
功率 - 最大: 8.3W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PowerPAK? CHIPFET? 双
供应商设备封装: PowerPAK? ChipFet 双
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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