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分离式半导体产品 HAT2173N品牌、价格、PDF参数

HAT2173N • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
HAT2173N Renesas Electronics America MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK-I 0
HAT2173N • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 25A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 15.3 毫欧 @ 12.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: -
闸电荷(Qg) @ Vgs: 61nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 4350pF @ 10V
功率 - 最大: 30W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PowerSOIC（0.156"，3.95mm）
供应商设备封装: 8-LFPAK-iV
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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