型号

分离式半导体产品 IPP180N10N3 G品牌、价格、PDF参数

IPP180N10N3 G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IPP180N10N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 400V 43A TO220-3 0 1:$1.59000
10:$1.43700
25:$1.28280
100:$1.15450
250:$1.02620
500:$0.89792
1,000:$0.74400
2,500:$0.69268
5,000:$0.66703
IPP180N10N3 G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 43A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 18 毫欧 @ 33A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 3.5V @ 33µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1800pF @ 50V
功率 - 最大: 71W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: PG-TO220-3
包装: 管件
电脑版（www.mmic.net.cn）
买卖IC网 版权所有©2006-2020