分离式半导体产品 BUZ30A H品牌、价格、PDF参数

BUZ30A H • 品牌、价格

元器件型号	厂商	描述	数量	价格
BUZ30A H	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3	0	500:$1.33246
IPP180N10N3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 400V 43A TO220-3	0	1:$1.59000 10:$1.43700 25:$1.28280 100:$1.15450 250:$1.02620 500:$0.89792 1,000:$0.74400 2,500:$0.69268 5,000:$0.66703

BUZ30A H • PDF参数

类别:	分离式半导体产品
FET 型:	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点:	标准
漏极至源极电压(Vdss):	200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:	21A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:	130 毫欧 @ 13.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:	4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:	-
输入电容 (Ciss) @ Vds:	1900pF @ 25V
功率 - 最大:	125W
安装类型:	通孔
封装/外壳:	TO-220-3
供应商设备封装:	PG-TO220-3
包装:	管件

电子产品资料

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