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分离式半导体产品 SI5401DC-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI5401DC-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI5401DC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 20V 1206-8 0
SI5406DC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8 0
SI5401DC-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 5.2A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 32 毫欧 @ 5.2A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 1.3W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SMD，扁平引线
供应商设备封装: 1206-8 ChipFET?
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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