型号
分离式半导体产品 SIA443DJ-T1-E3品牌、价格、PDF参数
SIA443DJ-T1-E3
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
SIA443DJ-T1-E3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6
0
SIA443DJ-T1-E3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6
0
SI4398DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
0
SIA443DJ-T1-E3
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点:
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
45 毫欧 @ 4.7A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
25nC @ 8V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
750pF @ 10V
功率 - 最大:
15W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
PowerPAK? SC-70-6
供应商设备封装:
PowerPAK? SC-70-6 单
包装:
剪切带 (CT)
电子产品资料
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