分离式半导体产品 SI4470EY-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI4470EY-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI4470EY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 60V 8-SOIC 0
SI4470EY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 60V 8-SOIC 0
SI8451DB-T2-E1 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 10.8A MICROFOOT 0
SI5473DC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 5.9A 1206-8 0
SI5481DU-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET 0
SI6404DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP 0
SI6465DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 8TSSOP 0
SI7446BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC 0
SI7452DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 60V PPAK 8SOIC 0
SI7476DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 15A PPAK 8SOIC 0
SI4470EY-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 11 毫欧 @ 12A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 1.85W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 带卷 (TR)