分离式半导体产品 SI5473DC-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI5473DC-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI5473DC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 5.9A 1206-8 0
SI5481DU-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET 0
SI6404DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP 0
SI6465DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 8TSSOP 0
SI7446BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC 0
SI7452DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 60V PPAK 8SOIC 0
SI7476DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 15A PPAK 8SOIC 0
SI5473DC-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 5.9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 27 毫欧 @ 5.9A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 32nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 1.3W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SMD,扁平引线
供应商设备封装: 1206-8 ChipFET?
包装: 带卷 (TR)