分离式半导体产品 SI8451DB-T2-E1品牌、价格、PDF参数

SI8451DB-T2-E1 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI8451DB-T2-E1 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 10.8A MICROFOOT 0
SI5473DC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 5.9A 1206-8 0
SI5481DU-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET 0
SI6404DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP 0
SI6465DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 8TSSOP 0
SI7446BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC 0
SI7452DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 60V PPAK 8SOIC 0
SI7476DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 15A PPAK 8SOIC 0
SI8451DB-T2-E1 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 10.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 80 毫欧 @ 1A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 24nC @ 8V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 750pF @ 10V
功率 - 最大: 13W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-MICRO FOOT?
供应商设备封装: 6-Micro Foot?
包装: 剪切带 (CT)