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分离式半导体产品 IXTU05N120品牌、价格、PDF参数

IXTU05N120 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IXTU05N120 IXYS MOSFET N-CH 1200V 0.5A TO-251 0
IXTQ160N085T IXYS MOSFET N-CH 85V 160A TO-3P 0
IXTA160N085T IXYS MOSFET N-CH 85V 160A TO-263 0
IXTU05N120 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 1200V（1.2kV）
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 500mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: -
Id 时的 Vgs(th)（最大）: -
闸电荷(Qg) @ Vgs: -
输入电容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: -
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
供应商设备封装: TO-251
包装: 管件
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