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分离式半导体产品 2SJ352-E品牌、价格、PDF参数

2SJ352-E • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
2SJ352-E Renesas Electronics America MOSFET P-CH 200V 8A TO-3P 0
2SJ162-E Renesas Electronics America MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P 0
2SJ352-E • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 8A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: -
Id 时的 Vgs(th)（最大）: -
闸电荷(Qg) @ Vgs: -
输入电容 (Ciss) @ Vds: 800pF @ 10V
功率 - 最大: 100W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-3P-3，SC-65-3
供应商设备封装: TO-3P
包装: 管件
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