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分离式半导体产品 HAT2160N-EL-E品牌、价格、PDF参数

HAT2160N-EL-E • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
HAT2160N-EL-E Renesas Electronics America MOSFET N-CH 20V 60A LFPAKI 0
2SK214-E Renesas Electronics America MOSFET N-CH 160V 0.5A TO-220AB 0
2SJ77-E Renesas Electronics America MOSFET P-CH 160V 0.5A TO-220 0
2SJ352-E Renesas Electronics America MOSFET P-CH 200V 8A TO-3P 0
2SJ162-E Renesas Electronics America MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P 0
HAT2160N-EL-E • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 60A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 3.1 毫欧 @ 30A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: -
闸电荷(Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 7600pF @ 10V
功率 - 最大: -
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PowerSOIC（0.156"，3.95mm）
供应商设备封装: 8-LFPAK-iV
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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