hit是heterojunctionwithintrinsicthin-layer的缩写,意为本征薄膜异（膜厚5～10nm）质结.hit太阳能电池是以光照射侧的p/i型a-si膜和背面侧的i/n型a-si膜（膜厚5～10nm）夹住单结晶si片的来构成的.
图一.hit太阳能光伏电池结构
hit太阳能光伏电池基板以硅基板为主；在硅基板上沉积高能隙(energybandgap)的硅奈米薄膜，表层再沉积透明导电膜，背表面有着背表面电场。通过优化硅的表面织构，可以降低透明导电氧化层（tco）和a-si层的光学吸收损耗。hit太阳能光伏电池抑制了p型、i型a-si的光吸收率，而增强n型c-si的光吸收率。
hit太阳能光伏电池在技术上的优势
由于hit太阳能电池使用a-si构成pn结，所以能够在200℃以下的低温完成整个工序。和原来的热扩散型的结晶太阳电池的形成温度（～900℃）相比较，大幅度地降低了制造工艺的温度。由于这种对称构造和低温工艺的特征，减少了因热量或者膜形成时产生的si晶片的变形和热损伤，对实现晶片的轻薄化和高效化来说是有利的，具有业界领先的高转换效率（研究室水平为23％，量产水平为20％），即使在高温下，转换效率也极少降低，利用双面单元来提高发电量。