分离式半导体产品 SH8M4TB1品牌、价格、PDF参数

SH8M4TB1 • 品牌、价格

元器件型号	厂商	描述	数量	价格
SH8M4TB1	Rohm Semiconductor	MOSFET N+P 30V 9A/7A 8-SOIC	12,500	2,500:$0.73000 5,000:$0.70300 10,000:$0.67600
SH8M4TB1	Rohm Semiconductor	MOSFET N+P 30V 9A/7A 8-SOIC	1,724	1:$2.51000 25:$1.98000 100:$1.78200 250:$1.55100 500:$1.38600 1,000:$1.08900

SH8M4TB1 • PDF参数

类别:	分离式半导体产品
FET 型:	N 和 P 沟道
FET 特点:	逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):	30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:	9A，7A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:	18 毫欧 @ 9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:	2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:	15nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:	1190pF @ 10V
功率 - 最大:	2W
安装类型:	表面贴装
封装/外壳:	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装:	8-SOICN
包装:	带卷 (TR)

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