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分离式半导体产品 SI1035X-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI1035X-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI1035X-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 20V SC-89 5,263 1:$0.55000
25:$0.38520
100:$0.33000
250:$0.28500
500:$0.24500
1,000:$0.19000
SI1035X-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: N 和 P 沟道
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 180mA，145mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 5 欧姆 @ 200mA，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 400mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 250mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-563，SOT-666
供应商设备封装: SC-89-6
包装: 剪切带 (CT)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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