分离式半导体产品 SI7913DN-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI7913DN-T1-GE3 • 品牌、价格

元器件型号	厂商	描述	数量	价格
SI7913DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 1212-8 PPAK	14,229	1:$1.86000 25:$1.43120 100:$1.29850 250:$1.16600 500:$1.00700 1,000:$0.84800
SI7913DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 1212-8 PPAK	14,229	1:$1.86000 25:$1.43120 100:$1.29850 250:$1.16600 500:$1.00700 1,000:$0.84800

SI7913DN-T1-GE3 • PDF参数

类别:	分离式半导体产品
FET 型:	2 个 P 沟道（双）
FET 特点:	逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):	20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:	5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:	37 毫欧 @ 7.4A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:	1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:	24nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:	-
功率 - 最大:	1.3W
安装类型:	表面贴装
封装/外壳:	PowerPAK? 1212-8 双
供应商设备封装:	PowerPAK? 1212-8 Dual
包装:	剪切带 (CT)

电子产品资料

电脑版（www.mmic.net.cn）
买卖IC网版权所有©2006-2020