分离式半导体产品 DMG4932LSD-13品牌、价格、PDF参数

DMG4932LSD-13 • 品牌、价格

元器件型号	厂商	描述	数量	价格
DMG4932LSD-13	Diodes Inc	MOSFET 2N-CH 30V 9.5A SO8	2,500	2,500:$0.20150 5,000:$0.18850 12,500:$0.17550 25,000:$0.16640 62,500:$0.16250 125,000:$0.15600

DMG4932LSD-13 • PDF参数

类别:	分离式半导体产品
FET 型:	2 个 N 沟道（双）
FET 特点:	逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):	30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:	9.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:	15 毫欧 @ 9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:	2.4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:	42nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:	1932pF @ 15V
功率 - 最大:	1.19W
安装类型:	表面贴装
封装/外壳:	8-SOIC（0.236"，6.00mm 宽）
供应商设备封装:	8-SO
包装:	带卷 (TR)

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