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分离式半导体产品 SIA778DJ-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SIA778DJ-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SIA778DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6 0 3,000:$0.20925
6,000:$0.19575
15,000:$0.18225
30,000:$0.17213
75,000:$0.16875
150,000:$0.16200
SIA778DJ-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: 2 个 N 沟道（双）
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 12V，20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 4.5A，1.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 29 毫欧 @ 5A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 15nC @ 8V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 500pF @ 6V
功率 - 最大: 6.5W，5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PowerPAK? SC-70-6 双
供应商设备封装: PowerPAK? SC-70-6 双
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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