型号
分离式半导体产品 SIZ910DT-T1-GE3品牌、价格、PDF参数
SIZ910DT-T1-GE3
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
SIZ910DT-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V DUAL D-S
0
3,000:$0.86400
6,000:$0.83200
15,000:$0.80000
30,000:$0.78400
75,000:$0.76800
SIZ910DT-T1-GE3
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
2 个 N 沟道(双)
FET 特点:
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
40A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
5.8 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
2.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
40nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
1500pF @ 15V
功率 - 最大:
48W,100W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
8-PowerWDFN
供应商设备封装:
8-PowerPair?
包装:
带卷 (TR)
电子产品资料
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