分离式半导体产品 SI4830CDY-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI4830CDY-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI4830CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC 2,678 1:$1.33000
25:$1.05320
100:$0.94770
250:$0.82484
500:$0.73710
1,000:$0.57915
SI4830CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC 2,678 1:$1.33000
25:$1.05320
100:$0.94770
250:$0.82484
500:$0.73710
1,000:$0.57915
SI4830CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC 0 2,500:$0.49140
5,000:$0.46683
12,500:$0.44752
25,000:$0.43524
62,500:$0.42120
SI4830CDY-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: 2 个 N 沟道(双)
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 20 毫欧 @ 8A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 950pF @ 15V
功率 - 最大: 2.9W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: Digi-Reel®