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分离式半导体产品 SI5933CDC-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI5933CDC-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI5933CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 1206-8 428 1:$0.61000
25:$0.42360
100:$0.36300
250:$0.31352
500:$0.26950
1,000:$0.20900
SI5933CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 1206-8 428 1:$0.61000
25:$0.42360
100:$0.36300
250:$0.31352
500:$0.26950
1,000:$0.20900
SI5933CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 1206-8 0 3,000:$0.17050
6,000:$0.15950
15,000:$0.14850
30,000:$0.14025
75,000:$0.13750
150,000:$0.13200
SI5933CDC-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: 2 个 P 沟道（双）
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.7A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 144 毫欧 @ 2.5A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 6.8nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 276pF @ 10V
功率 - 最大: 2.8W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SMD，扁平引线
供应商设备封装: 1206-8 ChipFET?
包装: Digi-Reel®
电脑版（www.mmic.net.cn）
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