型号
分离式半导体产品 SI1902DL-T1-GE3品牌、价格、PDF参数
SI1902DL-T1-GE3
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
SI1902DL-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH G-S 20V DUAL SC-70-6
0
3,000:$0.17670
6,000:$0.16530
15,000:$0.15390
30,000:$0.14535
75,000:$0.14250
150,000:$0.13680
SI1033X-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 145MA SC89
0
3,000:$0.16740
SI1902DL-T1-GE3
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
2 个 N 沟道(双)
FET 特点:
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
660mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
385 毫欧 @ 660ma,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
1.2nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
-
功率 - 最大:
270mW
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装:
SC-70-6
包装:
带卷 (TR)
电子产品资料
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