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分离式半导体产品 PMWD30UN,518品牌、价格、PDF参数

PMWD30UN,518 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
PMWD30UN,518 NXP Semiconductors MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 8TSSOP 0
PMWD30UN,518 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: 2 个 N 沟道（双）
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 33 毫欧 @ 3.5A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 700mV @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 28nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1478pF @ 10V
功率 - 最大: 2.3W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商设备封装: 8-TSSOP
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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