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分离式半导体产品 SI1988DH-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI1988DH-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI1988DH-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V DUAL SC-70-6 0 1:$0.66000
25:$0.51000
100:$0.45000
250:$0.39000
500:$0.33000
1,000:$0.26250
SI1988DH-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V DUAL SC-70-6 0 3,000:$0.21750
6,000:$0.20250
15,000:$0.19500
30,000:$0.18750
75,000:$0.18450
150,000:$0.18000
SI1988DH-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: 2 个 N 沟道（双）
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 1.3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 168 毫欧 @ 1.4A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 4.1nC @ 8V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 110pF @ 10V
功率 - 最大: 1.25W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商设备封装: SC-70-6
包装: 剪切带 (CT)
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