型号

分离式半导体产品 SIZ902DT-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SIZ902DT-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SIZ902DT-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V DUAL D-S 100 1:$1.63000
25:$1.29000
100:$1.16100
250:$1.01052
500:$0.90300
1,000:$0.70950
SIZ902DT-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V DUAL D-S 0 3,000:$0.60200
6,000:$0.57190
15,000:$0.54825
30,000:$0.53320
75,000:$0.51600
SIZ902DT-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: 2 个 N 沟道（双）
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 16A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 12 毫欧 @ 13.8A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 2.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 21nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 790pF @ 15V
功率 - 最大: 29W，66W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PowerWDFN
供应商设备封装: 8-PowerPair?
包装: 剪切带 (CT)
电脑版（www.mmic.net.cn）
买卖IC网 版权所有©2006-2020